存储芯片公司美光科技今日发布公告称，从即日起将终止对 3D Xpoint 的所有研发，出售其在犹他州 Lehi 的 3D Xpoint 晶圆厂，同时转移资源以专
存储芯片公司美光科技今日发布公告称，从即日起将终止对 3D Xpoint 的所有研发，出售其在犹他州 Lehi 的 3D Xpoint 晶圆厂，同时转移资源以专注于加速支持其新内存产品 Compute Express Link (CXL)的投资。美光这一决定，意味着存储芯片领域发生大变局。
3D Xpoint 技术是美光与英特尔共同开发的一种非易失性存储技术，比 NAND 闪存拥有更高的性能和耐用性，旨在填补 DRAM 和 NAND 闪存之间的存储空白。历经超过 10 年的研发周期，于 2016 年正式推出。
2016 年时，使用 20nm 工艺制程的 3D Xpoint 存储芯片在犹他州 Lehi 工厂生产，这一工厂也是英特尔与美光于 2006 年开始合作后建设的第一个工厂。
根据 3D Xpoint 诞生时的官方介绍，3D Xpoint 的延迟水平以纳秒计算，远超 NAND 闪存的微秒级延迟，速度提升高到 1000 倍，存储密度比 DRAM 提高 10 倍。使得在靠近处理器的位置存储更多的数据成为可能。
但这一曾经轰动业界的存储技术，后期发展似乎并不顺利。
在两家的合作中，英特尔主要负责基于 3D Xpoint 技术 Optane 品牌产品的所有商业销售，具体产品包括 NVMe SSD 和 IMM 尺寸的永久性内存模块。美光则用 QuanX 品牌包装 3D Xpoint 技术，但从未以该品牌发售过任何产品，其第一个也是唯一一个基于 3D Xpoint 的实际产品是 X100 高端企业级 SSD。
美光公司首席商务管苏米特 · 萨达纳在接受路透社采访时表示，很多客户对 X100 并不满意，因为他们必须重写大部分软件才能利用新型内存，因此该款产品发售数量非常有限。
2018 年，英特尔与美光达成协议，计划在 3D NAND 闪存领域分道扬镳，然后在完成第二代 3D Xpoint 的开发后结束在 3D Xpoint 上的合作，各自开发基于 3D Xpoint 技术的第三代产品。
2019 年，美光购买了英特尔在 Lehi 工厂的股份，并成为该晶圆厂的唯一所有者，由于英特尔无法将其产线快速转移到中国大连的 Fab 工厂，因此不得不与美光签署晶圆代工协议在 Lehi 工厂生产，但英特尔的 Optane 产品并不足以充分利用该工厂的产能，美光每年的非 GAAP 运营利润要因此遭受超过 4 亿美元的损失。
如今，美光认识到，将 3D Xpoint 存储器进一步商业化是不值得，因此决定出售其 3D Xpoint 晶圆厂，计划在 2021 年内达成销售协议。美光官方称，美光现在已确定没有足够的市场证明将 3D Xpoint 大规模商业化以解决其客户不断发展的内存和存储需求所需的大量投资是合理的，另外，美光将保留与 3D Xpoint 相关的所有知识产权，并于该工厂的多个潜在买家保持联系。
去年，英特尔宣布将其 3D NAND 闪存部门出售给 SK 海力士，并保留其基于 3D Xpoint 的存储产品。今年年初又推出新的 Optane 产品，英特尔作为目前唯一能够研发且专注基于 3D Xpoint 产品的公司，很可能会接手该晶圆厂。
值得注意的是，美光出售其 Lehi 晶圆代工厂正值芯片缺货严重的时期，因此即使需要买家花费大量精力进行改组，该晶圆厂也可能会快速售出。
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