台积电从7nm工艺开始导入EUV极紫外光刻技术，5nm上也顺利转移，而且在3nm上展现了优异的光学能力和符合预期的良品率，所以在2nm和后续更先进工艺上，台积电将继续重点改善EUV技术的质量与成
这几年，天字一号代工厂台积电一路高歌猛进：7nm工艺上独步天下，5nm工艺也正在量产，3nm工艺就在不远处，2nm工艺也正在蓝图上铺开……
在最新的2019年年报中，台积电确认5nm已经进入量产阶段，3nm正在持续研发，同时今年还会加快2nm(N2)的研发速度。
台积电透露，2019年已经在业内率先启动2nm工艺研发，并在关键的光刻技术上进行2nm以下技术开发的前期准备工作。
台积电从7nm工艺开始导入EUV极紫外光刻技术，5nm上也顺利转移，而且在3nm上展现了优异的光学能力和符合预期的良品率，所以在2nm和后续更先进工艺上，台积电将继续重点改善EUV技术的质量与成本。
对，注意成本两个字。
其实，对于3nm、2nm这些更先进的制程工艺，技术挑战还是次要的，最关键的是成本，因为随着半导体工艺的演进，不但台积电、三星这些代工厂需要投入动辄数百亿美元的资金用于研发、建厂，芯片设计公司也必须跟着烧钱，一方面是芯片设计难度的急剧增加，另一方面也要帮助代工厂均摊成本。
有数据显示，7nm工艺芯片的研发需要至少3亿美元的投资，5nm工艺上平均要5.42亿美元，3nm、2nm工艺还没数据，但起步10亿美元是没跑了，至少2nm工艺不会低于这个数。
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