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南大光电:自主研发的ArF光刻胶产品具备55nm平台后段金属布线层的工艺要求

2021-07-05 15:26:55 来源: IT之家

7 月 2 日消息今日南大光电发布消息,称该公司 ArF 光刻胶产品拿到小批量订单。在 5 月 31 日,江苏南大光电材料股份有限公司公告称,其控股子公

7 月 2 日消息今日南大光电发布消息,称该公司 ArF 光刻胶产品拿到小批量订单。在 5 月 31 日,江苏南大光电材料股份有限公司公告称,其控股子公司宁波南大光电材料有限公司自主研发的 ArF 光刻胶产品,再次通过了客户认证,其具备 55nm 平台后段金属布线层的工艺要求。

IT之家了解到,ArF 光刻胶材料是半导体制造的关键材料,可以用于90nm-14nm甚至 7nm技术节点的集成电路制造工艺。此前我国国产光刻胶主要集中在中低端产品,但是用于精密工艺的 ArF 光刻胶一直以来被国外厂商垄断。

根据南大光电此前公告,ArF 光刻胶的市场前景好于预期。随着国内 IC 行业的快速发展,自主创新 和国产化步伐的加快,以及先进制程工艺的应用,将大大拉动光刻胶的用量。

关键词: 南大光电

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