8 月 16 日消息，据外媒 THELEC 今日报道，半导体业界人士透露，SK 海力士计划最早明年上半年量产采用 238 层 NAND(V8)的最新 UFS 4 0 闪存。根据
8 月 16 日消息，据外媒 THELEC 今日报道，半导体业界人士透露，SK 海力士计划最早明年上半年量产采用 238 层 NAND(V8)的最新 UFS 4.0 闪存。
根据 SK 海力士制定的 UFS 4.0 内存开发计划，其将在 UFS 4.0 闪存上主要搭载 V7 和 V8 NAND，其中 V8 是 SK 海力士开发的世界上首个 238 层 NAND 闪存，与 176 层 NAND( V7 )相比能源消耗减少了 21%。其采用了 4D 封装技术，与 3D 封装相比，前者在减少单位单元面积的同时，生产效率也更高。
THELEC 还透露了 SK 海力士正在开发的 UFS 4.0 闪存的数据处理速度：连续读取 4000 MB/s，连续写入 2800 MB/s。外形规格为 11×13×0.8mm。仅从速度来看，现在曝光的速度可能只搭载了 V7 NAND。
作为对比，三星在 5 月 4 日首发的 UFS 4.0 的闪存采用的是 176 层 NAND(V7)，连续读取 4200 MB/s，连续写入 2800 MB/s，外形规格为 11×13×1mm。
此前有消息称 SK 海力士 238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 2.4Gbps，相比前一代产品提高了 50%，现在来看还未应用到 UFS 4.0 中。
IT之家了解到，据 THELEC 称，目前，SK 海力士已经向主要客户公司供应了 238 层 NAND 样品，计划明年上半年量产，因此，搭载 V8 NAND 的 UFS 4.0 内存也有望最早从明年上半年开始批量生产。
UFS 4.0 闪存是是今年 5 月正式批准的最新标准，其数据传输带宽为 23.2 Gbps，是之前 UFS 3.1 的两倍，带宽越大，数据处理速度就越快。
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