位于武汉中国光谷的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥
位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台11日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。
随着下游大数据、物联网、云计等产业的快速发展，集成电路的需求量越来越大。我国是全球半导体需求量最大的地区，占比超过50%，然而我国的集成电路产品尤其是存储芯片却几乎完全依赖于进口。集成电路是一个国家科技发展的核心产业，因此近年来我国不断推出产业政策并提供资金以支持半导体行业的发展，相关企业市场竞争力显著提升。2018年，预计集成电路产业将延续2017年热度。
据了解，目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基地于2017年成功研发我国首颗32层三维NAND闪存芯片。这颗耗资10亿美元、由1000人的团队历时2年自主研发的芯片，是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，有望使我国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。
根据《国家集成电路产业发展推进纲要》的目标：到2020年收入超过8700亿元，实现16/14纳米量产，关键领域技术达到世界领先水平，材料和设备进入全球供应链。政策方面，2000-2010年，以税收优惠为主，仅限IC设计与制造;2011-2013强调技术研发，并扩大到集成电路全产业链;2014年至今，成立大基金，重点支持企业投资并购，预计第二期即将出台，规模超过千亿元。
