10 月 7 日消息，当地时间周三三星电子宣布公司新一代 3 纳米芯片制造技术将推迟到 2022 年上市，同时称更先进的2 纳米芯片制造技术将在 2025 年
10 月 7 日消息，当地时间周三三星电子宣布公司新一代 3 纳米芯片制造技术将推迟到 2022 年上市，同时称更先进的2 纳米芯片制造技术将在 2025 年问世。
三星曾计划于今年开始用 3 纳米制程工艺生产处理速度更快、能效更高的芯片产品。周三公司在“三星代工论坛”(Samsung Foundry Forum)上表示，转向全新制造技术的难度很大，3 纳米制程芯片将在 2022 年上半年上市。
这意味着三星客户将要到明年才能用上这一前沿技术。三星芯片代工的客户包括手机芯片设计公司高通、服务器制造商 IBM 和三星自家产品。
不过好消息是，三星宣布将在 2025 年下半年实现 2 纳米芯片制造技术。三星表示，这将使芯片在性能、能效以及电子产品小型化向前继续迈进。
台积电今年 8 月份也宣布推迟上线 3 纳米芯片制造技术。这一计划的延迟使得英特尔压力有所缓解。目前英特尔正在推出自家代工业务，旨在夺回被台积电和三星拿走的市场份额。
芯片业务面临的压力极大。随着个人电脑销量的不断增长、智能手机的普及以及数据中心的在线服务量不断上升，市场对芯片的需求已经超过产能。全球范围内的芯片短缺影响到依赖电子产品供应链的个人电脑、游戏机、汽车等产品销售。
三星代工事业部高级副总裁 Shawn Han 说，芯片短缺问题要到 2022 年才会缓解。他表示，“尽管我们正在投资，其他代工厂商也在增加产能，但在我们看来，这一状况会再持续六到九个月。”
转向新一代芯片制造技术的过程非常复杂。单个芯片由数十亿个比尘埃还要小的晶体管组成。芯片制造工厂需要在硅片上蚀刻电路图案，这一过程需要数十个步骤，耗时数月时间。
芯片制造技术的进步源自晶体管不断小型化，这样就可以把更多晶体管压缩在芯片上，从而提高处理速度并降低功耗。三星新一代芯片制造技术 3GAE 采用的是一种名为“全环绕栅极晶体管”(GAA) 的技术。
三星预计到 2023 年推出更成熟的 3GAP 芯片产品，同时达到高产量。到 2025 年，三星计划转向更先进的 2 纳米芯片制造技术 2GAP。
随着芯片变得越来越复杂，通常也会越来越贵，这就是为什么许多客户坚持使用格芯等公司更老更便宜制造工艺生产的芯片。
但三星认为，其可以降低全新制造技术的成本。三星电子代工战略团队负责人 Moonsoo Kang 表示：“虽然 GAA 是一项困难的技术，但我们仍将努力降低单个晶体管的成本。”“这一趋势将继续下去。”
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