10 月 8 日消息，据国外媒体报道，5nm 芯片制程工艺已顺利量产的台积电和三星电子，都在全力推进 3nm 工艺的量产事宜，以便占得先机，进而获得
10 月 8 日消息，据国外媒体报道，5nm 芯片制程工艺已顺利量产的台积电和三星电子，都在全力推进 3nm 工艺的量产事宜，以便占得先机，进而获得更多的代工订单。
而韩国媒体最新的报道显示，三星电子已确保 3nm 制程工艺有稳定的良品率，他们计划在明年 6 月份开始量产，代工相关的芯片。
从韩国媒体的报道来看，三星电子 3nm 制程工艺计划在明年 6 月份开始量产，是三星电子方面的一名高管，当地时间周三在已在线方式举行的三星代工论坛上透露的。
三星电子的 3nm 工艺，并未继续采用采用鳍式场效应晶体管(FinFET)技术，而是采用全环绕栅极晶体管(GAA)技术。三星方面表示，采用这一工艺代工的芯片，性能较 5nm 将提升 50%，能耗降低 50%。
三星电子方面对 3nm 工艺寄予厚望，多年前就已开始研发事宜。在今年 6 月底，有外媒在报道中表示，三星电子的 3nm 工艺已成功流片，距离量产又更近了一步。
目前在推进 3nm 工艺的另一家，是当前全球最大的芯片代工商台积电，在近几个季度的财报分析师电话会议上，台积电 CEO 魏哲家均透露他们的这一工艺在按计划推进，计划今年下半年风险试产，明年大规模量产。
